IXGH16N170
fabricant:
IXYS
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 100
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
32 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
190 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
1,7 kilovolts
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,7 V
Produit de fabrication:
IXYS
Introduction
Le IXGH16N170, de IXYS, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
Produits connexes
Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle de conformité.
IXYX120N120C3
IXGT6N170A
IXGH6N170A
Pour les appareils de traitement des eaux usées
IXGH30N120B3D1
Le nombre de points de contrôle doit être supérieur ou égal à:
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: