Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle de conformité.
fabricant:
IXYS
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 100
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
116 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
380 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
650 V
Emballage / boîtier:
TO-247AD-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Tension maximum d'émetteur de porte:
20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1.7 V
Produit de fabrication:
IXYS
Introduction
Le IXXH60N65B4H1, de IXYS, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Le nombre de points de contrôle doit être supérieur ou égal à:
| Image | partie # | Description | |
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IXYX120N120C3 |
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IXGT6N170A |
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Le nombre de points de contrôle doit être supérieur ou égal à: |
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