Pour les véhicules à moteur à combustion
fabricant:
IXYS
Description:
Transistors IGBT 1200V, 12A IGBT; Série G
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 100
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur continu à 25 C:
22 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
100 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
1,2 kilovolts
Emballage / boîtier:
TO-263AA-3 est un
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,4 V
Produit de fabrication:
IXYS
Introduction
Le IXGA12N120A3, de IXYS, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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