IXLF19N250A
fabricant:
IXYS
Description:
Transistors IGBT haute tension IGBT 2500V; 19A
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 500
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
32 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
250 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
2,5 kilovolts
Emballage / boîtier:
Le système ISOPLUS i4-PAC-3 est utilisé pour:
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
3,2 V
Produit de fabrication:
IXYS
Introduction
Le IXLF19N250A,de IXYS,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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