IXBT42N170
fabricant:
IXYS
Description:
Transistors IGBT BIMOSFET 1700V 75A
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
Ventilateur
Emballage / boîtier:
TO-268-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Tension maximum d'émetteur de porte:
20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,3 V
Produit de fabrication:
IXYS
Introduction
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