Le numéro d'immatriculation du véhicule est:
fabricant:
IXYS
Description:
Transistors IGBT 30 ampères 1200 V
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 500
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
50 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
200 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
1,2 kilovolts
Emballage / boîtier:
Pour l'utilisation dans le traitement de l'hypertension
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,4 V
Produit de fabrication:
IXYS
Introduction
Le IXDR30N120D1, de IXYS, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces d'origine et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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