Filtres
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Semi-conducteurs
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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MK22FN1M0VLQ12 |
Microcontrôleurs ARM - MCU K20 1MB à 120 MHz
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Le taux de change est le taux de change de l'indice de change.
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MK64FX512VMD12 |
Microcontrôleurs de BRAS - MCU K60-1M
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Le taux de change est le taux de change de l'indice de change.
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Le nombre de fois où les données sont utilisées est supérieur à: |
Microcontrôleurs ARM - MCU 256k Flash 32k RAM AES
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Les laboratoires de silicium
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Le numéro d'identification est le numéro d'identification de l'équipage. |
Microcontrôleurs ARM - MCU K20 1MB à 120 MHz
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Le taux de change est le taux de change de l'indice de change.
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IPD25N06S4L-30 |
Transistor MOSFET N-ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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Le numéro de série est le numéro de série. |
MOSFET 23 Ampères 800V 0,40 Rds
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IXYS
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Le numéro d'immatriculation du véhicule |
MOSFET 80 ampères 500V 0,06 Rds
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IXYS
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IXFX32N50 |
MOSFET 32 Ampères 500V 0,16 Rds
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IXYS
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Pour les véhicules à moteur à combustion |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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IXYS
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Les pièces détachées sont classées selon le type de véhicule. |
FPGA - Matrice de porte programmable sur le terrain IGLOO
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Des produits de la sous-culture
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DMP6023LFGQ-13 |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Diodes incorporées
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LFE3-70E-7FN1156I, dont le numéro d'immatriculation est le suivant: |
FPGA - Array de porte programmable sur le terrain 66.5K LUT, 490 I/O 7 vitesse
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Réseau
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Pour les produits de la catégorie III: |
MOSFET 96 Ampères 150V 0,024 Rds
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IXYS
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SQ1440EH-T1_GE3 |
MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifié
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Vishay Semi-conducteurs
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IXFH170N10P |
MOSFET 170 ampères 100 V 0,009 Rds
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IXYS
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Pour les appareils à commande numérique |
MOSFET 100V 180A
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IXYS
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Pour l'ATP106-TL-H |
Appareil de commutation du MOSFET
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Uniseme
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SPA17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
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Infineon Technologies
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BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
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Uniseme
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Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Vishay Semi-conducteurs
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Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
MOSFET 40V 60A 46W 5,8 mohm @ 10V
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Vishay Semi-conducteurs
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SI7252DP-T1-GE3 |
Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un système d'exploitation de l'appareil,
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Vishay Semi-conducteurs
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Le nombre d'émissions de CO2 |
MOSFET MOSFETS différenciés
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Infineon Technologies
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BSC028N06NS |
Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à la valeur de l'appareil.
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Infineon Technologies
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Le numéro de série FDT434P |
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
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Fairchild Semi-conducteur
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IRF7343TRPBF |
Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome de type A.
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IR / Infineon
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Le numéro de série est le numéro SSM3J328. |
Le système de détection de l'émission de gaz doit être équipé d'un système de détection de gaz.
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Toshiba
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LCMXO2-7000ZE-1BG256I est utilisé pour les tests de dépistage. |
FPGA - Array de passerelles programmables sur le champ 6864 LUTs 207 I/O 1,2 V 1 VÉLEXITÉ
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Réseau
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SI1539CDL-T1-GE3 |
MOSFET 30 Volts 0,7 Ampères 0,34 Watts
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Vishay Semi-conducteurs
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2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200mW
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Diodes incorporées
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LFE3-35EA-7FN484C |
FPGA - Field Programmable Gate Array 33.3K LUTs 295 I/O 1.2V -7 Speed
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Réseau
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IXFH46N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/46A ultra jonction X2
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IXYS
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Pour les appareils de surveillance de la sécurité |
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre concerné.
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IXYS
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Pour les appareils de surveillance |
MOSFET Puissance des tranchées MOSFET 200v, 60A
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IXYS
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IPW60R070P6 |
MOSFET prix/performance à haute puissance
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Infineon Technologies
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
Le débit de l'électricité doit être supérieur ou égal à 30 V.
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Vishay Semi-conducteurs
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Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes: |
MOSFET 500V N-canal
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Fairchild Semi-conducteur
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BSC040N10NS5 |
Le système de détection de l'urine doit être conforme à l'annexe II.
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Infineon Technologies
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Le numéro de série FQA46N15 |
MOSFET 150V QFET à chaîne N
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Fairchild Semi-conducteur
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FDP51N25 |
MOSFET 250 V MOSFET à canal N
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Fairchild Semi-conducteur
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Le nombre d'heures de travail |
MOSFET 250V QFET à chaîne N
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Fairchild Semi-conducteur
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Le numéro de série FDMS86104 |
MOSFET 100V MOSFET à décharge électrique N-Channel
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Fairchild Semi-conducteur
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Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes: |
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
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Infineon Technologies
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Le nombre de points de contrôle est le suivant: |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET avance série C
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Fairchild Semi-conducteur
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LCMXO3LF-2100C-5BG324C |
FPGA - Field Programmable Gate Array 2112 LUTs
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Réseau
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LCMXO2-7000HC-4FTG256C |
FPGA - Array de passerelles programmables sur le terrain 6864 LUTs 207 I/O 3.3V 4 VÉLEXITÉ
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Réseau
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
MOSFET 600V Q-FET avancée par canal N
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Fairchild Semi-conducteur
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Le nombre d'heures de travail |
MOSFET 200V QFET à canal P
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Fairchild Semi-conducteur
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FDC2512 |
MOSFET 150V NCh PowerTrench
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Fairchild Semi-conducteur
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. |
MOSFET 30V 2,7A 2,3W 190 mohms @ 10V
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Vishay Semi-conducteurs
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