Les États membres doivent respecter les dispositions de la présente directive.
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Type:
N-Channel
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Through Hole
Package:
Tube
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 2.5mA
Series:
POWER MOS V®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
510 nC @ 10 V
Supplier Device Package:
TO-264 [L]
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
300mOhm @ 500mA, 10V
Mfr:
Microchip Technology
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
7900 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss):
800 V
Package / Case:
TO-264-3, TO-264AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
27A (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
APT8030
Introduction
N-canal 800 V 27A (Tc) à travers le trou TO-264 [L]
Produits connexes

Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Le numéro d'identification est le numéro d'identification de l'équipage.
MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP

Je suis désolé.
MOSFET N-CH 1000V 23A TO264
Image | partie # | Description | |
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Le nombre d'équipements utilisés est le suivant: |
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
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Le numéro d'identification est le numéro d'identification de l'équipage. |
MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP
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Je suis désolé. |
MOSFET N-CH 1000V 23A TO264
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