Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
fabricant:
Technologie des puces
Description:
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
FET Feature:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
5V @ 20mA
Operating Temperature:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
SP6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
1068 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils de traitement des gaz, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale ou sup
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
28500 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
SP6
Mfr:
Microchip Technology
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
145A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3250W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
APTM100
Introduction
N-Channel 1000 V 145A (Tc) 3250W (Tc) Monture du châssis SP6
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Le numéro d'identification est le numéro d'identification de l'équipage.
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Je suis désolé.
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Les États membres doivent respecter les dispositions de la présente directive.
MOSFET N-CH 800V 27A TO264
| Image | partie # | Description | |
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Le numéro d'identification est le numéro d'identification de l'équipage. |
MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP
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Les États membres doivent respecter les dispositions de la présente directive. |
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