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Les produits de la catégorie III sont soumis à des contrôles.

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-3P-3, SC-65-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
152 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5.5mOhm @ 50A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9400 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Trench
Supplier Device Package:
TO-3P
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200A (Tc)
Power Dissipation (Max):
550W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTQ200
Introduction
N-canal 100 V 200 A (Tc) 550 W (Tc) à travers le trou TO-3P
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