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Pour les produits de la catégorie III:

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 150V 96A TO268
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
110 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
24mOhm @ 500mA, 10V
Type de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3500 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Polar
Supplier Device Package:
TO-268AA
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
96A (Tc)
Power Dissipation (Max):
480W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTT96
Introduction
N-canal 150 V 96A (Tc) 480W (Tc) Monture de surface TO-268AA
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