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Pour les produits présentant une teneur en dioxyde de carbone supérieure à 50%

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 200V 50A TO220AB
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
70 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
60mOhm @ 50A, 10V
Type de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
le paquet:
Tuyaux
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2720 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Polar
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
Power Dissipation (Max):
360W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTP50
Introduction
N-canal 200 V 50 A (Tc) 360 W (Tc) à travers le trou TO-220-3
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