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Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II.

fabricant:
Nexperia États-Unis Inc.
Description:
MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.25V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
17 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
34mOhm @ 3A, 4.5V
Type de FET:
P-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 4.5V
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (maximum):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1465 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.5A (Ta)
Power Dissipation (Max):
490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMV30
Introduction
P-Channel 20 V 4,5 A (Ta) 490 mW (Ta), 5,435 W (Tc) Monture de surface TO-236AB
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