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Le système d'échantillonnage doit être conforme à l'annexe II.

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 3mA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
540 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11mOhm @ 100A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
23000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Linear L2™
Supplier Device Package:
TO-264 (IXTK)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1040W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTK200
Introduction
N-canal 100 V 200 A (Tc) 1040 W (Tc) à travers le trou TO-264 (IXTK)
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