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Pour les véhicules à moteur à combustion

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 8mA
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
378 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7.5mOhm @ 60A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
28000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™, Trench
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
220A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1090W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN230
Introduction
N-Channel 200 V 220A (Tc) 1090W (Tc) Monture du châssis SOT-227B
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