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Le numéro IXTY01N100

fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 25µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
6.9 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
80Ohm @ 100mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Product Status:
Active
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
54 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Série:
-
Supplier Device Package:
TO-252AA
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
100mA (Tc)
Power Dissipation (Max):
25W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTY01
Introduction
N-Channel 1000 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Monture de surface TO-252AA
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