Le numéro de série de l'appareil
fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET 200 ampères 100 V 0,0075 Rds
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
200 A
Mode de montage:
À travers le trou
Nom commercial:
Polar, HiPerFET
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
TO-264-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
Pour les appareils électroniques
emballage:
Tuyaux
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
5 V
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
7.5 mOhms
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
20 V
Qg - charge de porte:
235 OR
Produit de fabrication:
IXYS
Introduction
Le IXFK200N10P,de IXYS,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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