Le nombre de personnes concernées par les mesures d'urgence est fixé par le règlement (CE) no 1224/2009.
fabricant:
IXYS
Description:
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
480 A
Mode de montage:
Montage du châssis
Nom commercial:
Le produit doit être présent dans le corps.
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
SOT-227-4
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
Pour les appareils électroniques
emballage:
Tuyaux
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
5 V
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
1,5 mOhms
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
20 V
Qg - charge de porte:
545 après JC
Produit de fabrication:
IXYS
Introduction
Le IXFN520N075T2,de IXYS,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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