FQB4N80TM
fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Description:
MOSFET 800V QFET à chaîne N
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
3.9 A
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
TO-263-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
Pour les appareils électroniques
emballage:
Le rouleau
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
30 V
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
3,6 OHMS
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Introduction
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| Image | partie # | Description | |
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