K4H511638J-LCCC
fabricant:
Semi-conducteurs Samsung
Description:
Spécification de la RAM SDRAM DDR de 512 Mb
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
le paquet:
TSSOP
Catégorie de produits:
Circuits intégrés mémoire
Produit de fabrication:
semi-conducteur de Samsung
Introduction
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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de lutte contre la fraude.
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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention.
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Le code de conduite de l'équipage doit être le suivant:
Memory IC
Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé à:
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de lutte contre les risques liés à l'utilisation de ces dispositifs.
1Gb E-die NAND Flash
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Graphic Memory
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1Gb F-die DDR2 SDRAM
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Pour les produits qui sont soumis à des prescriptions de conformité:
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
Le code de l'émetteur est le code de l'émetteur de l'émetteur.
8Gb B-die DDR4 SDRAM
K4A8G165WC-BCTD
8Gb B-die DDR4 SDRAM x16
Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé en fonction de l'indice de CO2 de l'installation.
DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification
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1Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
K9GAG08U0E-SCB0
16Gb E-die NAND Flash
Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé à 0,8%.
Graphic Memory
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Graphic Memory
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Memory IC
Le produit doit être présent dans un emballage de qualité supérieure.
1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé à:
Graphic Memory
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