K4A8G165WC-BCTD
fabricant:
Semi-conducteurs Samsung
Description:
8Gb B-die DDR4 SDRAM x16
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
le paquet:
BGA
Catégorie de produits:
Circuits intégrés mémoire
Produit de fabrication:
semi-conducteur de Samsung
Introduction
Le K4A8G165WC-BCTD,de Samsung Semiconductor,est des circuits intégrés de mémoire.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
64Mb K-die SDRAM
Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de lutte contre la fraude.
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention.
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
Le code de conduite de l'équipage doit être le suivant:
Memory IC
Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé à:
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
K4H511638J-LCCC
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de lutte contre les risques liés à l'utilisation de ces dispositifs.
1Gb E-die NAND Flash
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Graphic Memory
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| Image | partie # | Description | |
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Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne. |
64Mb K-die SDRAM
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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de lutte contre la fraude. |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention. |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
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Le code de conduite de l'équipage doit être le suivant: |
Memory IC
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Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé à: |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
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K4H511638J-LCCC |
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de lutte contre les risques liés à l'utilisation de ces dispositifs. |
1Gb E-die NAND Flash
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