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fabricant:
Toshiba
Description:
EEPROM 1,8 V, 1 Gbit CMOS et NAND EEPROM
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Courant d'approvisionnement - maximum:
30 mA
Catégorie de produits:
Résultats
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Organisation du projet:
128 M X 8
Emballage / boîtier:
VFBGA-67
Taille de mémoire:
1 Gbit
emballage:
Plateau
Série:
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Type d'interface:
Parallèlement
Fréquence maximale de l'horloge:
-
Produit de fabrication:
Toshiba
Introduction
Le TC58NYG0S3HBAI6,de Toshiba,est un EEPROM. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction du nombre d'heures de travail.
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction du nombre d'heures de travail.
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
| Image | partie # | Description | |
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TC58NVG0S3HTAI0 |
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