Le nombre total d'équipements utilisés est de:
fabricant:
Toshiba
Description:
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS et NAND EEPROM
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Résultats
Organisation du projet:
256 M X 8
Taille de mémoire:
2 Gbit
emballage:
Plateau
Série:
TC58BVG1S3
Type d'interface:
Parallèlement
Produit de fabrication:
Toshiba
Introduction
Le TC58BVG1S3HTAI0,de Toshiba,est un EEPROM.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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| Image | partie # | Description | |
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