MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F
fabricant:
Technologie des microns
Description:
La RAM 4G en parallèle à 533 MHz
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Technologie:
Les données de l'appareil doivent être conservées dans le système de stockage.
Catégorie de produits:
Circuits intégrés mémoire
Type de mémoire:
Non volatils
Le stock d'usine:
0
Écrire le temps du cycle - mot, page:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le système de réglage de la fréquence de l'aéronef doit être équipé d'un système de réglage de la fr
Temps d'accès:
-
Format de mémoire:
ÉCLAIR, RAM
Statut de la partie:
Actif
Taille de mémoire:
4Gb (128M x 32) ((NAND), 2G (64M x 32) ((LPDDR2)
emballage:
Plateau
@ qty:
0
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Quantité minimum:
1440
Interface de mémoire:
Parallèlement
Emballage / boîtier:
Le numéro de série de l'appareil est le 162.
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence d'horloge:
533MHz
Voltage - alimentation:
1.8V
Série:
-
Produit de fabrication:
Technologie des microns
Introduction
Le MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F,de Micron Technology,est des circuits intégrés de mémoire.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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