NAND128W3A2BN6E
fabricant:
Technologie des microns
Description:
Les émissions de dioxyde de carbone et de dioxyde de carbone sont calculées sur la base de la méthod
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Technologie:
Flash - NAND
Catégorie de produits:
Circuits intégrés mémoire
Type de mémoire:
Non volatils
Le stock d'usine:
0
Écrire le temps du cycle - mot, page:
50 ans
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
48-TSOP
Temps d'accès:
50 ans
Format de mémoire:
Le flash
Statut de la partie:
Dépassé
Taille de mémoire:
128Mb (16M x 8)
emballage:
Plateau
@ qty:
0
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Quantité minimum:
576
Interface de mémoire:
Parallèlement
Emballage / boîtier:
48-TFSOP (0,724", largeur de 18,40 mm)
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence d'horloge:
-
Voltage - alimentation:
2.7 V ~ 3.6 V
Série:
-
Produit de fabrication:
Technologie des microns
Introduction
Le NAND128W3A2BN6E,de Micron Technology,est des circuits intégrés de mémoire.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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