STGW80H65DFB
fabricant:
STMicroélectronique
Description:
Les transistors IGBT sont des transistors à décharge
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
250 nA
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
120 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
469 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
650 V
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Tension maximum d'émetteur de porte:
20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1,6V
Produit de fabrication:
STMicroélectronique
Introduction
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| Image | partie # | Description | |
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