STGWA60H65DFB
fabricant:
STMicroélectronique
Description:
Transistors IGBT Bipolaire de puissance et IGBT
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
250 nA
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
80 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
375 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
650 V
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2 V
Produit de fabrication:
STMicroélectronique
Introduction
Le STGWA60H65DFB,de STMicroelectronics,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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