MJE253G
fabricant:
Uniseme
Description:
Transistors bipolaires - BJT 4A 100V 15W PNP
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
PNP
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur CC maximal:
4 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
Pour les appareils électroniques
Emballage / boîtier:
TO-225-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
40 MHz
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
Pour les appareils électroniques
Série:
MJE253
Tension basse VEBO d'émetteur:
7 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
0,6 V
Produit de fabrication:
un demi
Introduction
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Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
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Les pièces détachées ne doivent pas être utilisées pour la fabrication d'un produit.
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