Le code de dépôt est le code de dépôt de l'entreprise.
fabricant:
NXP États-Unis Inc.
Description:
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage du châssis
Voltage - Nominal:
Pour les appareils électroniques
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Configuration:
Dual
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils de traitement de l'air
Tension - essai:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
230MHz
Les gains:
25 dB
Emballage / boîtier:
Le point de contact est le point de contact de l'appareil.
Actuel - essai:
100 MA
Puissance - Sortie:
600 W
Technologie:
ldmos
Rating de courant (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Le MRFE6
Introduction
RFI Mosfet 50 V 100 mA 230 MHz 25 dB 600W NI-1230-4H
Related Products
| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
|
|
Je vous en prie. |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6
|
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: