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fabricant:
NXP États-Unis Inc.
Description:
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Voltage - Nominal:
65 V
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils de traitement de l'air
Tension - essai:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Fréquence:
2,11 GHz
Les gains:
160,7 dB
Emballage / boîtier:
NI-780S
Actuel - essai:
1.5 A
Puissance - Sortie:
50 W
Technologie:
ldmos
Rating de courant (ampères):
-
Numéro du produit de base:
AFT21
Introduction
RF Mosfet 28 V 1,5 A 2,11 GHz 16,7 dB 50 W NI-780S-6
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Courant:
MOQ: