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La mémoire
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 boules BGA (9mm x 13mm) RoHS, IT
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Le secteur privé
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
DRAM 4G, 1,5 V, 1600 MHz DDR3 SDRAM
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Le secteur privé
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Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
La RAM 2G 1,8 V DDR2 128Mx16 333Mhz@CL5 84 BGA
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Le secteur privé
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Pour l'utilisation des appareils électroménagers: |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 DRAM à page rapide
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Le secteur privé
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Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async
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Le secteur privé
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1333MT/s @ 8-8-8, 96 boule BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
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Le secteur privé
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
DRAM 4G, 1,5 V, 1333 MHz DDR3 SDRAM
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Le secteur privé
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
DRAM 4G, 1,35 V, 1600 MT/s DDR3 SDRAM
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Le secteur privé
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 boules BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
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Le secteur privé
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IS46TR16256A-15HBLA2 |
DRAM 4G, 1,5 V, 1333 MT/s DDR3 SDRAM
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Le secteur privé
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Le nombre d'unités de traitement est déterminé par la méthode suivante: |
Les données sont fournies par les fournisseurs d'accès à la plateforme.
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Le secteur privé
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IS43LR16320B-6BLI |
DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile
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Le secteur privé
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Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
DRAM 2G, 1,35V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3L SDRAM
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Le secteur privé
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Les produits doivent être soumis à un contrôle de qualité. |
DRAM 1G, 1,5 V, (64M x 16) 1300 MHz DDR3 SDRAM
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Le secteur privé
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Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 DRAM à page rapide
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Le secteur privé
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Le produit doit être présenté sous forme d'un test de dépistage. |
DRAM 4G, 1,5 V, 1333 MT/s DDR3 SDRAM
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Le secteur privé
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Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
DRAM 1G, 1,5 V, (64M x 16) 1300 MHz DDR3 SDRAM
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Le secteur privé
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AT25SF041-SSHD-T |
Les données sont fournies par les autorités compétentes des États membres.
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Technologies d'Adesto
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MX25L12835FMI-10G |
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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MXIC, Macronix. Je suis désolé.
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Le numéro de série de l'appareil doit être le numéro de série de l'appareil. |
Le système de navigation est équipé d'un système de navigation intégré.
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MXIC, Macronix. Je suis désolé.
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MX30LF2G18AC-TI |
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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MXIC, Macronix. Je suis désolé.
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M24C64-RMN6TP |
Le système de commande interne EEPROM 64K I2C 1MHZ
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STMicroélectronique
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MX30LF1G18AC-TI |
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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MXIC, Macronix. Je suis désolé.
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MT41K512M8DA-107 : P |
Les données sont fournies par le système d'exploitation.
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Technologie des microns
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MX29LV160DBTI-70G |
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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MXIC, Macronix. Je suis désolé.
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MT41K64M16TW-107 : J |
Le système de gestion des données est un système de gestion des données.
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Technologie des microns
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M24C64-RDW6TP |
Le système de commande par câble est un système de commande par câble
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STMicroélectronique
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Les données de l'échantillon sont fournies à l'échantillon. |
Les données de base sont fournies par le système d'exploitation
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MXIC, Macronix. Je suis désolé.
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail. |
EEPROM SEEPROM, 1K, SW - 1,7 à 3,6 V, 125 Kbps, Ind Tmp, 2-XSFN
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Atmel / Technologie à puce
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NT1département d'État |
DDR3 (L) 1 Gb SDRAM pour le commerce, l'industrie et l'automobile
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Technologie de Nanya
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SST39VF040-70-4C-NHE |
Message publicitaire de la mémoire instantanée 4M (512Kx8) 70ns 2.7-3.6V
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Technologie des puces
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S29GL064S70TFI010 |
Parallèle 64Mb, 3.0V de mémoire instantanée NI instantané
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Cypress Semi-conducteur
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