Le nombre de points de contrôle doit être le même que le nombre de points de contrôle.
Description:
Fiche de données IPG20N06S415ATMA2 pdf et Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays détails du produit du
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Numéro de pièce:
Le nombre de points de contrôle doit être le même que le nombre de points de contrôle.
Produit de fabrication:
IR (Infineon Technologies)
Définition:
Des modèles alternatifs sont disponibles.
Cycle de vie:
Nouveau de ce fabricant
Fiche de données:
Les données de l'établissement sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans leq
Livraison:
DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement:
T/T Paypal Visa Monégramme Western Union
En savoir plus:
IPG20N06S415ATMA2 Pour plus d'informations
La CEAD:
Demandez des modèles CAO gratuits
Prix (en dollars américains):
Je ne veux pas de ça.64
Nom de l'entreprise:
Fabricant: IR (Infineon Technologies).
Tenssion est l'un des distributeurs.
Une large gamme d'applic
Montagne:
Monture de surface
Taille:
1 millimètre
Temps d'automne:
9 NS
Temps de montée:
2 NS
Nombre de broches:
8
Capacité d'entrée:
1.74 nF
Temps de retard d'ouverture:
12 ns
Temps de retard d'arrêt:
17 NS
Dissipation de puissance maximale:
50 W
Température maximale de fonctionnement:
°C 175
Vidangez à la résistance de source:
15.5 mΩ
Courant continu de drain (identification):
20 A
Vidangez à la tension claque de source:
60 V
Catégorie des produits:
Semi-conducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Ensembles
Fiche de données:
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
Quantité utilisée:
3566 En stock
Applications:
Systèmes avancés d'assistance au conducteur (ADAS)
Périphériques et imprimantes connectées
Projecteu
Largeur:
6.15 mm
Longueur:
5.15 mm
Emballage:
Tape et bobine
Rds au maximum:
15.5 mΩ
Quantité du colis:
5000
Dissipation du pouvoir:
50 W
Résistance de Sur-état:
15.5 mΩ
Configuration d'élément:
Dual
Max Dual Supply Voltage:
60 V
Min Température de fonctionnement:
-55 °C
Porte à la tension de source (Vgs):
20 V
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
60 V
Introduction
IPG20N06S415ATMA2 est un modèle appartenant à la sous-catégorie des transistors - FET, MOSFET - Arrays sous Discrete Semiconductor.,Veuillez vous référer à la fiche de données, tels que les fichiers PDF, les documents Docx, etc. Nous avons des images IPG20N06S415ATMA2 haute définition et des feuilles de données à titre de référence.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complète. IPG20N06S415ATMA2 est largement utilisé dans les systèmes d'assistance au conducteur avancés (ADAS), les périphériques et imprimantes connectés, les projecteurs d'entreprise.Il est fabriqué par IR (Infineon Technologies) et distribué par Fans., Tenssion et autres distributeurs. IPG20N06S415ATMA2 peut être acheté de plusieurs façons. Vous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail.Nous avons suffisamment de fournitures.En plus de nos propres stocks, nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Nous avons aussi d' autres modèles sous les Transistors à semi-conducteurs discrets - FETs, MOSFETs - Catégorie des tableaux pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, tels que DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
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