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Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme aux exigences suivantes:

Description:
Fiche de données FDMS3660S pdf et Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays détails du produit de stock d
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Numéro de pièce:
Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme aux exigences suivantes:
Produit de fabrication:
Sanyo Semi-conducteur/ON Semi-conducteur
Définition:
Des modèles alternatifs sont disponibles.
Cycle de vie:
Nouveau de ce fabricant
Fiche de données:
La fiche de données FDMS3660S est en PDF
Livraison:
DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement:
T/T Paypal Visa Monégramme Western Union
En savoir plus:
FDMS3660S Pour plus d'informations
La CEAD:
Demandez des modèles CAO gratuits
Prix (en dollars américains):
Un dollar.29
Nom de l'entreprise:
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor. Tenssion est l'un des distributeurs. Une large gamm
Montagne:
Monture de surface
Taille:
1,1 millimètres
Le poids:
171 mgs
Rds au maximum:
8 mΩ
Vgs nominal:
1,5 V
Plaquage par contact:
Étain
Dissipation du pouvoir:
1 W
Nombre de chaînes:
2
Temps de retard d'ouverture:
7.7 ns
Configuration d'élément:
Dual
Température maximale de fonctionnement:
150 °C
Vidangez à la résistance de source:
10,8 mΩ
Courant continu de drain (identification):
30 A
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Catégorie des produits:
Semi-conducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Ensembles
Fiche de données:
Le système de contrôle de la qualité doit être conforme aux exigences de la présente directive.
Quantité utilisée:
3064 En stock
Applications:
Épreuve et mesure Transport industriel (autres que les voitures et les camions légers) Automatisatio
Largeur:
5,9 millimètres
Longueur:
5 millimètres
Emballage:
bande et bobine
Programme B:
8541290080
Nombre de broches:
8
Capacité d'entrée:
1.765 nF
Voltage de seuil:
1,5 V
Nombre d'éléments:
2
Temps de retard d'arrêt:
19 NS
Dissipation de puissance maximale:
2,5 W
Min Température de fonctionnement:
-55 °C
Porte à la tension de source (Vgs):
12 V
Température maximale de jonction (Tj):
150 °C
Vidangez à la tension claque de source:
30 V
Introduction
FDMS3660S est un modèle appartenant à la sous-catégorie des transistors - FET, MOSFET - Arrays sous Discrete Semiconductor.Veuillez consulter la fiche, tels que les fichiers PDF, les documents Docx, etc. Nous avons des images FDMS3660S haute définition et des feuilles de données à titre de référence.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complète. Le FDMS3660S est largement utilisé dans les tests et les mesures, le transport industriel (non automobile et non camion léger), l'automatisation et le contrôle des usines.Il est fabriqué par Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor et distribué par Fans, Tenssion et autres distributeurs. FDMS3660S peut être acheté de plusieurs façons. Vous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail. Actuellement, nous avons suffisamment de fournitures.En plus de nos propres stocksSi l'offre de FDMS3660S est insuffisante, nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Nous avons aussi d' autres modèles sous les Transistors à semi-conducteurs discrets - FETs, MOSFETs - Catégorie des tableaux pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, tels que DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
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