Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodromes de type A.
Description:
2N7002DWH6327XTSA1 feuille de données pdf et Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays détails du produit
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Numéro de pièce:
Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodromes de type A.
Produit de fabrication:
IR (Infineon Technologies)
Définition:
Des modèles alternatifs sont disponibles.
Cycle de vie:
Nouveau de ce fabricant
Fiche de données:
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'UE.
Livraison:
DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement:
T/T Paypal Visa Monégramme Western Union
En savoir plus:
2N7002DWH6327XTSA1 Pour plus d'informations
La CEAD:
Demandez des modèles CAO gratuits
Prix (en dollars américains):
Je ne veux pas de ça.37
Nom de l'entreprise:
Fabricant: IR (Infineon Technologies).
Tenssion est l'un des distributeurs.
Une large gamme d'applic
Montagne:
Monture de surface
Temps d'automne:
3.1 ns
Temps de montée:
3,3 NS
Programme B:
8541210080
Nombre de broches:
6
Capacité d'entrée:
13 PF
Nombre de chaînes:
2
Temps de retard d'ouverture:
3 NS
Temps de retard d'arrêt:
5,5 NS
Max Dual Supply Voltage:
60 V
Min Température de fonctionnement:
-55 °C
Porte à la tension de source (Vgs):
20 V
Température maximale de jonction (Tj):
150 °C
Vidangez à la tension claque de source:
60 V
Catégorie des produits:
Semi-conducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Ensembles
Fiche de données:
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le journal officiel de la Commission.
Quantité utilisée:
7243 En stock
Applications:
Réseaux câblés
Accès par ligne fixe à haut débit
Télévision
Taille:
1 millimètre
Emballage:
Tape et bobine
Rds au maximum:
3 Ω
Étui/emballage:
SOT-363-6
Quantité du colis:
3000
Dissipation du pouvoir:
500 mW
Nombre d'éléments:
2
Résistance de Sur-état:
3 Ω
Dissipation de puissance maximale:
500 mW
Température maximale de fonctionnement:
150 °C
Vidangez à la résistance de source:
1,6 Ω
Courant continu de drain (identification):
115 mA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
60 V
Introduction
Le 2N7002DWH6327XTSA1 est un modèle appartenant à la sous-catégorie des transistors - FET, MOSFET - Arrays sous Semiconducteurs discrets.Pour les paramètres de performance spécifiques du produit, veuillez consulter la fiche de données, tels que les fichiers PDF, les documents Docx, etc. Nous avons 2N7002DWH6327XTSA1 images haute définition et feuilles de données à titre de référence.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complète. 2N7002DWH6327XTSA1 est largement utilisé dans les réseaux filaires, l'accès à la ligne fixe haut débit, la télévision. Il est fabriqué par IR (Infineon Technologies) et distribué par Fans, Tanssion et d'autres distributeurs.2N7002DWH6327XTSA1 peut être acheté de plusieurs façonsVous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail.Nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Si l'approvisionnement en 2N7002DWH6327XTSA1 est insuffisant, nous avons également d'autres modèles dans la catégorie des transistors à semi-conducteurs discrets - FET, MOSFET - Arrays pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, tels que DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
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