FDS4935BZ
Description:
Fiche de données FDS4935BZ pdf et Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays détails du produit de stock d
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Numéro de pièce:
FDS4935BZ
Produit de fabrication:
Sanyo Semi-conducteur/ON Semi-conducteur
Définition:
Des modèles alternatifs sont disponibles.
Cycle de vie:
Nouveau de ce fabricant
Fiche de données:
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles se trouve
Livraison:
DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement:
T/T Paypal Visa Monégramme Western Union
En savoir plus:
FDS4935BZ Pour plus d'informations
La CEAD:
Demandez des modèles CAO gratuits
Prix (en dollars américains):
Je ne veux pas de ça.94
Nom de l'entreprise:
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor.
Tenssion est l'un des distributeurs.
Une large gamm
Montagne:
Monture de surface
Taille:
1,5 millimètres
Le poids:
mg 187
Emballage:
Couper la bande
Rds au maximum:
22 mΩ
Programme B:
8541290080
Résolution:
DSM/SMT
Notation actuelle:
-6,9 A
Capacité d'entrée:
1.36 nF
Voltage de seuil:
-1,9 V
Nombre d'éléments:
2
Double tension d'alimentation:
-30 V
Voltage nominal (DC):
-30 V
Dissipation de puissance maximale:
1,6W
Min Température de fonctionnement:
-55 °C
Porte à la tension de source (Vgs):
25 V
Température maximale de jonction (Tj):
150 °C
Vidangez à la tension claque de source:
-30 V
Catégorie des produits:
Semi-conducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Ensembles
Fiche de données:
Les données relatives à l'utilisation du système de surveillance sont fournies par le système de sur
Quantité utilisée:
488 en stock
Applications:
Produits électroniques portables
Largeur:
4 millimètres
Longueur:
5 millimètres
Temps d'automne:
13 NS
Temps de montée:
13 NS
Résistance:
22 mΩ
Vgs nominal:
1.9 V
Étui/emballage:
SOIC
Nombre de broches:
8
Dissipation du pouvoir:
1,6W
Nombre de chaînes:
2
Temps de retard d'ouverture:
12 ns
Temps de retard d'arrêt:
68 ns
Configuration d'élément:
Dual
Température maximale de fonctionnement:
150 °C
Vidangez à la résistance de source:
mΩ 18
Courant continu de drain (identification):
-6,9 A
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
-30 V
Introduction
FDS4935BZ est un modèle appartenant à la sous-catégorie des transistors - FET, MOSFET - Arrays sous Discrete Semiconductor.Veuillez consulter la fiche, tels que les fichiers PDF Docx documents, etc. Nous avons des images FDS4935BZ haute définition et des feuilles de données à titre de référence.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complèteIl est fabriqué par Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor et distribué par Fans, Tanssion et d'autres distributeurs.Le FDS4935BZ peut être acheté de plusieurs façonsVous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail.Nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Si l'approvisionnement en FDS4935BZ est insuffisant, nous avons également d'autres modèles dans la catégorie des transistors à semi-conducteurs discrets - FET, MOSFET - Arrays pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, tels que DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
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