FDG6306P
Description:
Fiche de données FDG6306P pdf et Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays détails du produit du stock de
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Numéro de pièce:
FDG6306P
Produit de fabrication:
Sanyo Semi-conducteur/ON Semi-conducteur
Définition:
Des modèles alternatifs sont disponibles.
Cycle de vie:
Nouveau de ce fabricant
Fiche de données:
La liste de contrôle est la suivante:
Livraison:
DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement:
T/T Paypal Visa Monégramme Western Union
En savoir plus:
FDG6306P Pour plus d'informations
La CEAD:
Demandez des modèles CAO gratuits
Prix (en dollars américains):
Je ne veux pas de ça.43
Nom de l'entreprise:
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor.
Tenssion est l'un des distributeurs.
Une large gamm
Montagne:
Monture de surface
Taille:
1 millimètre
Le poids:
28 mg ou moins
Temps de montée:
14 ns
Programme B:
8541210080
Notation actuelle:
-600 mA
Plaquage par contact:
Étain
Dissipation du pouvoir:
300mW
Nombre de chaînes:
2
Temps de retard d'ouverture:
5,5 NS
Voltage nominal (DC):
-20 V
Dissipation de puissance maximale:
300mW
Min Température de fonctionnement:
-55 °C
Porte à la tension de source (Vgs):
12 V
Température maximale de jonction (Tj):
150 °C
Vidangez à la tension claque de source:
-20 V
Catégorie des produits:
Semi-conducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Ensembles
Fiche de données:
Les États membres doivent respecter les règles en vigueur en ce qui concerne la protection des conso
Quantité utilisée:
7912 En stock
Applications:
Systèmes avancés d'assistance au conducteur (ADAS)
Appareils électriques
Réseaux câblés
Largeur:
1,25 millimètres
Longueur:
2 mm
Temps d'automne:
14 ns
Rds au maximum:
420 mΩ
Étui/emballage:
SC
Nombre de broches:
6
Capacité d'entrée:
114 pF
Voltage de seuil:
-1,2 V
Nombre d'éléments:
2
Temps de retard d'arrêt:
6 ans
Configuration d'élément:
Dual
Température maximale de fonctionnement:
150 °C
Vidangez à la résistance de source:
300 mΩ
Courant continu de drain (identification):
600 mA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
20 V
Introduction
FDG6306P est un modèle appartenant à la sous-catégorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays sous Discrete Semiconductor.Veuillez consulter la fiche, tels que les fichiers PDF Docx documents, etc. Nous avons FDG6306P images haute définition et feuilles de données pour référence.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complète. Le FDG6306P est largement utilisé dans les systèmes d'assistance au conducteur avancés (ADAS), les appareils, les réseaux filaires. Il est fabriqué par Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor et distribué par Fans,Tensions et autres distributeurs. FDG6306P peut être acheté de plusieurs façons. Vous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail.Nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Si l'approvisionnement en FDG6306P est insuffisant, nous avons également d'autres modèles dans la catégorie des transistors à semi-conducteurs discrets - FET, MOSFET - Arrays pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, tels que DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
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