Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
Description:
Fiche de données IPG20N04S4L11AATMA1 pdf et Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays détails du produit
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Numéro de pièce:
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
Produit de fabrication:
IR (Infineon Technologies)
Définition:
Des modèles alternatifs sont disponibles.
Cycle de vie:
Nouveau de ce fabricant
Fiche de données:
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles se trouve
Livraison:
DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement:
T/T Paypal Visa Monégramme Western Union
En savoir plus:
IPG20N04S4L11AATMA1 Pour plus d'informations
La CEAD:
Demandez des modèles CAO gratuits
Prix (en dollars américains):
Un dollar.08
Nom de l'entreprise:
Fabricant: IR (Infineon Technologies).
Tenssion est l'un des distributeurs.
Une large gamme d'applic
Montagne:
Monture de surface
Emballage:
Tape et bobine
Programme B:
8541290080
Quantité du colis:
5000
Dissipation du pouvoir:
41 W
Nombre d'éléments:
2
Résistance de Sur-état:
15.5 mΩ
Dissipation de puissance maximale:
41 W
Température maximale de fonctionnement:
°C 175
Vidangez à la résistance de source:
10.1 mΩ
Courant continu de drain (identification):
20 A
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Catégorie des produits:
Semi-conducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Ensembles
Fiche de données:
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'OMS.
Quantité utilisée:
1419 En stock
Applications:
Distribution de l'électricité
La machine de l'entreprise
Aérospatiale et défense
Taille:
1,1 millimètres
Rds au maximum:
mΩ 11,6
Nombre de broches:
8
Capacité d'entrée:
1.99 nF
Nombre de chaînes:
2
Temps de retard d'ouverture:
5 ans
Temps de retard d'arrêt:
25 ns
Max Dual Supply Voltage:
40 V
Min Température de fonctionnement:
-55 °C
Porte à la tension de source (Vgs):
16 V
Température maximale de jonction (Tj):
°C 175
Vidangez à la tension claque de source:
40 V
Introduction
L'IPG20N04S4L11AATMA1 est un modèle appartenant à la sous-catégorie des transistors - FET, MOSFET - Arrays sous le semiconducteur discret.Pour les paramètres de performance spécifiques du produit, veuillez vous référer à la fiche de données, tels que les fichiers PDF Docx documents, etc. Nous avons IPG20N04S4L11AATMA1 images haute définition et feuilles de données pour référence.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complète. IPG20N04S4L11AATMA1 est largement utilisé dans la distribution d'énergie, les machines d'entreprise, l'aérospatiale et la défense. Il est fabriqué par IR (Infineon Technologies) et distribué par Fans,Tensions et autres distributeurs. IPG20N04S4L11AATMA1 peut être acheté de plusieurs façons. Vous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail. À l'heure actuelle, nous avons suffisamment de fournitures.Nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Si l'approvisionnement en IPG20N04S4L11AATMA1 est insuffisant, nous avons également d'autres modèles dans la catégorie des transistors à semi-conducteurs discrets - FET, MOSFET - Arrays pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, tels que DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
Fiche de données PDF
Fiche de données PDF
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: