Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Description:
SI3993CDV-T1-GE3 feuille de données pdf et Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays détails du produit d
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Numéro de pièce:
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Produit de fabrication:
Vishay/Siliconix
Définition:
Des modèles alternatifs sont disponibles.
Cycle de vie:
Nouveau de ce fabricant
Fiche de données:
SI3993CDV-T1-GE3 Fiche de données PDF
Livraison:
DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement:
T/T Paypal Visa Monégramme Western Union
En savoir plus:
SI3993CDV-T1-GE3 En savoir plus
La CEAD:
Demandez des modèles CAO gratuits
Prix (en dollars américains):
Je ne veux pas de ça.51
Nom de l'entreprise:
Fabricant: Vishay / Siliconix.
Tenssion est l'un des distributeurs.
Une large gamme d'applications.
Montagne:
Monture de surface
Le poids:
19.986414 mg
Emballage:
Couper la bande
Rds au maximum:
111 mΩ
Vgs nominal:
-1,2 V
Nombre de broches:
6
Capacité d'entrée:
210 PF
Voltage de seuil:
-1,2 V
Nombre d'éléments:
2
Temps de retard d'arrêt:
14 ns
Dissipation de puissance maximale:
1,4W
Min Température de fonctionnement:
-55 °C
Porte à la tension de source (Vgs):
20 V
Température maximale de jonction (Tj):
150 °C
Vidangez à la tension claque de source:
-30 V
Catégorie des produits:
Semi-conducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Ensembles
Fiche de données:
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le rapport annuel.
Quantité utilisée:
6219 En stock
Applications:
Téléphones portables
Réseaux câblés
Automatisation et contrôle d'usine
Taille:
1,1 millimètres
Temps d'automne:
12 ns
Temps de montée:
16 ns
Programme B:
8541290080
Étui/emballage:
TSOP
Plaquage par contact:
Étain
Dissipation du pouvoir:
W 1,14
Nombre de chaînes:
2
Temps de retard d'ouverture:
5 ans
Configuration d'élément:
Dual
Température maximale de fonctionnement:
150 °C
Vidangez à la résistance de source:
92 mΩ
Courant continu de drain (identification):
-2,9 A
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
-30 V
Introduction
SI3993CDV-T1-GE3 Overview\\nSI3993CDV-T1-GE3 est un modèle appartenant à la sous-catégorie Transistors - FET, MOSFET - Arrays sous Discrete Semiconductor. Pour les paramètres de performance spécifiques du produit,Veuillez consulter la fiche, tels que les fichiers PDF, les documents Docx, etc. Nous avons pour référence des images et des fiches de données haute définition SI3993CDV-T1-GE3.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complète. SI3993CDV-T1-GE3 est largement utilisé dans les téléphones mobiles, les réseaux filaires, l'automatisation et le contrôle des usines. Il est fabriqué par Vishay / Siliconix et distribué par Fans, Tenssion et d'autres distributeurs.SI3993CDV-T1-GE3 peut être acheté de plusieurs façonsVous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail.Nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Si l'approvisionnement en SI3993CDV-T1-GE3 est insuffisant, nous avons également d'autres modèles dans la catégorie des transistors à semi-conducteurs discrets - FET, MOSFET - Arrays pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, tels que DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
Si3993cd.pdf
Si3993cd.pdf
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: