Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Description:
BSD235NH6327XTSA1 feuille de données pdf et Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays détails du produit
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Numéro de pièce:
Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Produit de fabrication:
IR (Infineon Technologies)
Définition:
Des modèles alternatifs sont disponibles.
Cycle de vie:
Nouveau de ce fabricant
Fiche de données:
BSD235NH6327XTSA1 Fiche de données PDF
Livraison:
DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement:
T/T Paypal Visa Monégramme Western Union
En savoir plus:
BSD235NH6327XTSA1 Pour plus d'informations
La CEAD:
Demandez des modèles CAO gratuits
Prix (en dollars américains):
Je ne veux pas de ça.48
Nom de l'entreprise:
Fabricant: IR (Infineon Technologies).
Tenssion est l'un des distributeurs.
Une large gamme d'applic
Montagne:
Monture de surface
Taille:
µm 800
Emballage:
Tape et bobine
Rds au maximum:
350 mΩ
Étui/emballage:
Le code SOT-363
Quantité du colis:
3000
Dissipation du pouvoir:
500 mW
Nombre de chaînes:
2
Temps de retard d'ouverture:
3,8 NS
Temps de retard d'arrêt:
4,5 NS
Max Dual Supply Voltage:
20 V
Min Température de fonctionnement:
-55 °C
Porte à la tension de source (Vgs):
12 V
Température maximale de jonction (Tj):
150 °C
Vidangez à la tension claque de source:
20 V
Catégorie des produits:
Semi-conducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Ensembles
Fiche de données:
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
Quantité utilisée:
4209 En stock
Applications:
Point de vente électronique (EPOS)
Largeur:
1,25 millimètres
Longueur:
2 mm
Temps de montée:
3,6 NS
Programme B:
8541210080
Nombre de broches:
6
Capacité d'entrée:
49 pF
Voltage de seuil:
700mV
Nombre d'éléments:
2
Résistance de Sur-état:
350 mΩ
Dissipation de puissance maximale:
500 mW
Température maximale de fonctionnement:
150 °C
Vidangez à la résistance de source:
266 mΩ
Courant continu de drain (identification):
950 mA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
20 V
Introduction
Le BSD235NH6327XTSA1 est un modèle appartenant à la sous-catégorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays sous Discrete Semiconductor.,Veuillez vous référer à la fiche de données, tels que les fichiers PDF, les documents Docx, etc. Nous avons des images BSD235NH6327XTSA1 haute définition et des feuilles de données à titre de référence.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complète. BSD235NH6327XTSA1 est largement utilisé dans les points de vente électroniques (EPOS). Il est fabriqué par IR (Infineon Technologies) et distribué par Fans, Tanssion et d'autres distributeurs.BSD235NH6327XTSA1 peut être acheté de plusieurs façonsVous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail.Nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Si l'approvisionnement en BSD235NH6327XTSA1 est insuffisant, nous avons également d'autres modèles dans la catégorie des transistors à semi-conducteurs discrets - FET, MOSFET - Arrays pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, tels que DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
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