FDG8850NZ
Description:
Fiche de données FDG8850NZ pdf et Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays détails du produit de stock d
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Numéro de pièce:
FDG8850NZ
Produit de fabrication:
Sanyo Semi-conducteur/ON Semi-conducteur
Définition:
Des modèles alternatifs sont disponibles.
Cycle de vie:
Nouveau de ce fabricant
Fiche de données:
Le système de gestion des risques est utilisé pour les opérations de gestion des risques.
Livraison:
DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement:
T/T Paypal Visa Monégramme Western Union
En savoir plus:
FDG8850NZ Plus d'informations
La CEAD:
Demandez des modèles CAO gratuits
Prix (en dollars américains):
Je ne veux pas de ça.53
Nom de l'entreprise:
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor.
Tenssion est l'un des distributeurs.
Une large gamm
Montagne:
Monture de surface
Taille:
1 millimètre
Le poids:
28 mg ou moins
Emballage:
Couper la bande
Rds au maximum:
mΩ 400
Programme B:
8541210080
Étui/emballage:
SC
Plaquage par contact:
Étain
Dissipation du pouvoir:
360 mW
Nombre de chaînes:
2
Temps de retard d'ouverture:
4 ans
Temps de retard d'arrêt:
9 NS
Dissipation de puissance maximale:
360 mW
Min Température de fonctionnement:
-55 °C
Porte à la tension de source (Vgs):
12 V
Température maximale de jonction (Tj):
150 °C
Vidangez à la tension claque de source:
30 V
Catégorie des produits:
Semi-conducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Ensembles
Fiche de données:
Le code de conduite est le code de conduite de l'appareil.
Quantité utilisée:
2651 En stock
Applications:
Appareils électriques
Épreuve et mesure
Systèmes hybrides, électriques et moteurs
Largeur:
1,25 millimètres
Longueur:
2 mm
Temps d'automne:
1 NS
Temps de montée:
1 NS
Résistance:
mΩ 400
Résolution:
DSM/SMT
Nombre de broches:
6
Capacité d'entrée:
120 PF
Voltage de seuil:
1V
Nombre d'éléments:
2
Double tension d'alimentation:
30 V
Configuration d'élément:
Dual
Température maximale de fonctionnement:
150 °C
Vidangez à la résistance de source:
mΩ 250
Courant continu de drain (identification):
750 mA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Introduction
FDG8850NZ est un modèle appartenant à la sous-catégorie des transistors - FET, MOSFET - Arrays sous Discrete Semiconductor.Veuillez consulter la fiche, tels que les fichiers PDF Docx documents, etc. Nous avons FDG8850NZ images haute définition et feuilles de données pour référence.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complète. Le FDG8850NZ est largement utilisé dans les appareils, les tests et les mesures, les systèmes hybrides, électriques et de propulsion.Tensions et autres distributeurs. FDG8850NZ peut être acheté de plusieurs façons. Vous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail. À l'heure actuelle, nous avons suffisamment de fournitures. En plus de notre propre stock,Nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Si l'approvisionnement en FDG8850NZ est insuffisant, nous avons également d'autres modèles dans la catégorie des transistors à semi-conducteurs discrets - FET, MOSFET - Arrays pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, tels que DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
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