Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2.
Description:
Fiche de données SI3900DV-T1-E3 pdf et Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays détails du produit du st
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Numéro de pièce:
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2.
Produit de fabrication:
Vishay/Siliconix
Définition:
Des modèles alternatifs sont disponibles.
Cycle de vie:
Nouveau de ce fabricant
Fiche de données:
SI3900DV-T1-E3 Fiche de données PDF
Livraison:
DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement:
T/T Paypal Visa Monégramme Western Union
En savoir plus:
SI3900DV-T1-E3 En savoir plus
La CEAD:
Demandez des modèles CAO gratuits
Prix (en dollars américains):
Je ne veux pas de ça.64
Nom de l'entreprise:
Fabricant: Vishay / Siliconix.
Tenssion est l'un des distributeurs.
Une large gamme d'applications.
Montagne:
Monture de surface
Taille:
1 millimètre
Le poids:
19.986414 mg
Temps de montée:
30 ns
Résistance:
125 mΩ
Vgs nominal:
600 système mv
Nombre de broches:
6
Voltage de seuil:
600 système mv
Nombre d'éléments:
2
Temps de retard d'arrêt:
14 ns
Dissipation de puissance maximale:
830 mW
Min Température de fonctionnement:
-55 °C
Porte à la tension de source (Vgs):
12 V
Température maximale de jonction (Tj):
150 °C
Vidangez à la tension claque de source:
20 V
Catégorie des produits:
Semi-conducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Ensembles
Fiche de données:
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le rapport annuel.
Quantité utilisée:
4995 En stock
Applications:
Point de vente électronique (EPOS)
Épreuve et mesure
Les comprimés
Largeur:
1,65 millimètres
Longueur:
30,05 mm
Temps d'automne:
30 ns
Rds au maximum:
125 mΩ
Programme B:
8541210080
Étui/emballage:
TSOP
Dissipation du pouvoir:
830 mW
Nombre de chaînes:
2
Temps de retard d'ouverture:
10 ns
Configuration d'élément:
Dual
Température maximale de fonctionnement:
150 °C
Vidangez à la résistance de source:
125 mΩ
Courant continu de drain (identification):
2 A
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
20 V
Introduction
SI3900DV-T1-E3 est un modèle appartenant à la sous-catégorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays sous Discrete Semiconductor.Veuillez consulter la fiche, tels que les fichiers PDF Docx documents, etc. Nous avons SI3900DV-T1-E3 images haute définition et feuilles de données pour référence.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complète. SI3900DV-T1-E3 est largement utilisé dans les points de vente électroniques (EPOS), les tests et les mesures, les tablettes.SI3900DV-T1-E3 peut être acheté de plusieurs façonsVous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail.Nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Si l'approvisionnement en SI3900DV-T1-E3 est insuffisant, nous avons également d'autres modèles dans la catégorie des transistors à semi-conducteurs discrets - FET, MOSFET - Arrays pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, tels que DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
71178.pdf
71178.pdf
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: