Si l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,91, la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la valeur de la va
Description:
SI7983DP-T1-GE3 feuille de données pdf et Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays détails du produit du
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Numéro de pièce:
Si l'unité de mesure est supérieure ou égale à 0,91, la valeur de la valeur de la valeur de la valeu
Produit de fabrication:
Vishay/Siliconix
Définition:
Des modèles alternatifs sont disponibles.
Cycle de vie:
Nouveau de ce fabricant
Fiche de données:
Si la valeur de l'indicateur est supérieure à 0,90, la valeur de l'indicateur doit être supérieure à
Livraison:
DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement:
T/T Paypal Visa Monégramme Western Union
En savoir plus:
SI7983DP-T1-GE3 En savoir plus
La CEAD:
Demandez des modèles CAO gratuits
Prix (en dollars américains):
Je ne veux pas de ça.00
Nom de l'entreprise:
Fabricant: Vishay / Siliconix.
Tenssion est l'un des distributeurs.
Une large gamme d'applications.
Montagne:
Monture de surface
Taille:
10,04 mm
Le poids:
5060,605978 mg
Emballage:
Tape et bobine (TR)
Rds au maximum:
mΩ 17
Nombre de chaînes:
2
Temps de retard d'arrêt:
390 ns
Dissipation de puissance maximale:
1,4W
Min Température de fonctionnement:
-55 °C
Porte à la tension de source (Vgs):
8 V
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
20 V
Catégorie des produits:
Semi-conducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Ensembles
Fiche de données:
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le rapport annuel.
Quantité utilisée:
22 En stock
Applications:
Électronique du corps et éclairage
Épreuve et mesure
Produits électroniques portables
Largeur:
5.89 mm
Longueur:
4,9 millimètres
Temps d'automne:
190 NS
Temps de montée:
60 ns
Résistance:
mΩ 17
Temps de retard d'ouverture:
35 ns
Configuration d'élément:
Dual
Température maximale de fonctionnement:
150 °C
Vidangez à la résistance de source:
mΩ 17
Courant continu de drain (identification):
7,7 A
Introduction
SI7983DP-T1-GE3 Overview\\nSI7983DP-T1-GE3 est un modèle appartenant à la sous-catégorie Transistors - FET, MOSFET - Arrays sous Discrete Semiconductor. Pour les paramètres de performance spécifiques du produit,Veuillez consulter la fiche, tels que les fichiers PDF Docx documents, etc. Nous avons SI7983DP-T1-GE3 images haute définition et feuilles de données pour référence.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complète. SI7983DP-T1-GE3 est largement utilisé dans l'électronique corporelle et l'éclairage, le test et la mesure, l'électronique portable.Tensions et autres distributeurs. SI7983DP-T1-GE3 peut être acheté de plusieurs façons. Vous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail. À l'heure actuelle, nous avons suffisamment de fournitures.Nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Si l'approvisionnement en SI7983DP-T1-GE3 est insuffisant, nous avons également d'autres modèles dans la catégorie des transistors à semi-conducteurs discrets - FET, MOSFET - Arrays pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, tels que DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
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