Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
Description:
SI9926BDY-T1-E3 feuille de données pdf et Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays détails du produit du
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Numéro de pièce:
Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
Produit de fabrication:
Vishay/Siliconix
Définition:
Des modèles alternatifs sont disponibles.
Cycle de vie:
Nouveau de ce fabricant
Fiche de données:
Si la valeur de l'indicateur est supérieure à 0,9%, la valeur de l'indicateur doit être supérieure à
Livraison:
DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement:
T/T Paypal Visa Monégramme Western Union
En savoir plus:
SI9926BDY-T1-E3 En savoir plus
La CEAD:
Demandez des modèles CAO gratuits
Prix (en dollars américains):
Je ne veux pas de ça.00
Nom de l'entreprise:
Fabricant: Vishay / Siliconix.
Tenssion est l'un des distributeurs.
Une large gamme d'applications.
Montagne:
Monture de surface
Taille:
1.5494 mm
Le poids:
5060,605978 mg
Temps de montée:
50 ns
Résistance:
mΩ 20
Étui/emballage:
AINSI
Dissipation du pouvoir:
W 1,14
Nombre d'éléments:
2
Temps de retard d'arrêt:
31 NS
Dissipation de puissance maximale:
W 1,14
Min Température de fonctionnement:
-55 °C
Porte à la tension de source (Vgs):
12 V
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
20 V
Catégorie des produits:
Semi-conducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Ensembles
Fiche de données:
Si vous avez des problèmes de sécurité, vous pouvez les résoudre.
Quantité utilisée:
734 en stock
Applications:
Groupe d'information et de divertissement
Automatisation des bâtiments
Appareils portables (non médi
Largeur:
3.9878 mm
Longueur:
4.9784 mm
Temps d'automne:
50 ns
Rds au maximum:
mΩ 20
Vgs nominal:
600 système mv
Nombre de broches:
8
Nombre de chaînes:
2
Temps de retard d'ouverture:
35 ns
Configuration d'élément:
Dual
Température maximale de fonctionnement:
150 °C
Vidangez à la résistance de source:
mΩ 20
Courant continu de drain (identification):
6,2 A
Vidangez à la tension claque de source:
20 V
Introduction
SI9926BDY-T1-E3 Overview\\nSI9926BDY-T1-E3 est un modèle appartenant à la sous-catégorie Transistors - FET, MOSFET - Arrays sous Discrete Semiconductor.Veuillez consulter la fiche, tels que les fichiers PDF Docx documents, etc. Nous avons SI9926BDY-T1-E3 images haute définition et feuilles de données pour référence.Nous continuerons à produire divers fichiers vidéo et modèles 3D pour que les utilisateurs puissent comprendre notre produit de manière plus intuitive et complète. SI9926BDY-T1-E3 est largement utilisé dans les secteurs de l'info-divertissement et des clusters, de l'automatisation du bâtiment, des appareils portables (non médicaux).Tensions et autres distributeurs. SI9926BDY-T1-E3 peut être acheté de plusieurs façons. Vous pouvez passer une commande directement sur ce site, ou vous pouvez nous appeler ou nous envoyer un e-mail. Actuellement, nous avons suffisamment de fournitures.Nous pouvons également adapter l'inventaire aux distributeurs pour répondre à vos besoins.Si l'approvisionnement en SI9926BDY-T1-E3 est insuffisant, nous avons également d'autres modèles dans la catégorie des transistors à semi-conducteurs discrets - FET, MOSFET - Arrays pour le remplacer. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansPour la livraison, nous pouvons livrer des marchandises à nos clients par une variété de logistique, tels que DHL, FedEx, UPS,TNT et EMS ou tout autre expéditeurSi vous voulez en savoir plus sur le fret, n'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.
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