BSS123
fabricant:
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. est une société basée à Yangzhou.
Description:
N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
2.5 nC @ 10 V
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
14 pF @ 50 V
Series:
-
Vgs (maximum):
± 20 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SOT-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5Ohm @ 200mA, 10V
Mfr:
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
350mW (Ta)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature:
-
Introduction
N-Channel 100 V 200 mA (Ta) 350 mW (Ta) Monture de surface SOT-23
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2N7002 |
N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
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