STFW3N150
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
TO-3P-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
29.3 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9Ohm @ 1.3A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1500 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
939 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
PowerMESH™
Supplier Device Package:
TO-3PF
Mfr:
STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
63W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
STFW3
Introduction
N-canal 1500 V 2.5A (Tc) 63W (Tc) à travers le trou TO-3PF
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Le numéro de série est le numéro de série.
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N° de référence
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
Image | partie # | Description | |
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STP110N8F6 |
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
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Le produit doit être présent dans les conditions suivantes: |
MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
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Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil |
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
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MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
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MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
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STD4NK60ZT4 |
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STP4NK60ZFP |
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP
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Le numéro de série est le numéro de série. |
MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
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N° de référence |
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
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