Le nombre d'équipements utilisés
fabricant:
Uniseme
Description:
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
49 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
13mOhm @ 11A, 4.5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4766 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
8-SOIC
Mfr:
onsemi
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
11A (ventres)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Ta)
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Base Product Number:
FDS4672
Introduction
N-canal 40 V 11A (Ta) 2,5 W (Ta) Monture de surface 8-SOIC
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MOQ: