Le nombre de points d'intervention
fabricant:
Uniseme
Description:
MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
6 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
144mOhm @ 2.3A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
345 pF @ 75 V
Mounting Type:
Surface Mount
Série:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
SuperSOT™-6
Mfr:
Uniseme
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.3A (Ta)
Dissipation de puissance (maximum):
1.6W (ventres)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDC8624
Introduction
N-Channel 150 V 2.3A (Ta) 1.6W (Ta) SuperSOTTM-6 monté en surface
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