Le nombre de points de contrôle est le suivant:
fabricant:
Uniseme
Description:
MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
FET Feature:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Emballage / boîtier:
TO-3P-3, SC-65-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
105 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
90mOhm @ 18A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Last Time Buy
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3320 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-3PN
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
36A (Tc)
Power Dissipation (Max):
294W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQA36
Introduction
P-canal 150 V 36A (Tc) 294W (Tc) à travers le trou TO-3PN
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: