Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
138 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.7mOhm @ 80A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
75 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6600 pF @ 25 V
Type de montage:
À travers le trou
Series:
PowerTrench®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
15A (comité technique)
Power Dissipation (Max):
310W (Tc)
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Base Product Number:
FDP047
Introduction
N-canal 75 V 15A (Tc) 310W (Tc) à travers le trou TO-220-3
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Courant:
MOQ: