Le numéro IRFP240PBF
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
70 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
180mOhm @ 12A, 10V
FET Type:
N-Channel
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Package:
Tube
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour l'électricité
Vgs (Max):
±20V
Statut du produit:
Actif
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1300 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247AC
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
20A (Tc)
Power Dissipation (Max):
150W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFP240
Introduction
N-canal 200 V 20A (Tc) 150W (Tc) à travers le trou TO-247AC
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
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